绝缘衬底上硅片(SOI Wafer): 主要应用于MEMS和先进CMOS集成电路扩散制程。 SOI硅片SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路中器件的介质隔离，彻底消除了硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势。
SOI硅片有三层材料堆溅组成：顶层产品层(Device Layer)，中间绝缘层(BOX Layer) 以及底部衬底层(Handle Layer)。
SOI硅片通常都是独特规格，用于制造出不同的终端应用产品。恒丽鑫提供100mm, 150mm, 200mm等各类尺寸和不同规格的SOI硅片。
